台积电1nm以下制程取得重大突破

　　(原标题：台积电 1nm 以下制程取得重大突破，已发表于 Nature)

　　台积电昨日联合台大、麻省理工宣布，在 1nm 以下芯片方面取得重大进展，研究成果已发表于 Nature。

　　该研究发现，利用半金属铋 Bi 作为二维材料的接触电极，可以大幅降低电阻并提高电流，实现接近量子极限的能效，有望挑战 1nm 以下制程的芯片。

　　据介绍，该发现是由麻省理工团队首先发现的，随后台积电将易沉积制程进行优化，而台大电机系暨光电所教授吴志毅团队则通过氦离子束微影系统将元件通道成功缩小至纳米尺寸。

　　IT之家此前报道，IBM 在 5 月初首发了 2nm 工艺芯片，与当前主流的 7nm 芯片相比，IBM 2nm 芯片的性能预计提升 45%，能耗降低 75%。

　　不过业界人士表示，由于 IBM 没有先进逻辑制程芯片的晶圆厂，因此其 2nm 工艺无法很快落地，弯道超车也比较困难。