TSOPVsBGA：闪存两种封装形态的异同

　　通过大量的拆解可以发现，东芝闪存有TSOP(Thin Small Outline Package)和BGA(Ball Grid Array Package)两种封装形式。

　　TSOP封装的闪存，引脚位于颗粒两侧，共有 48 个引脚(下图右上)。

　　BGA封装的闪存，使用球栅阵列触点通信，触电位于芯片底部，数量有 132 个或更多。

　　240GB版本的东芝TR200 内使用了 8 颗TSOP封装的闪存颗粒，每个颗粒内含一个256Gb容量的东芝BiCS闪存晶粒。

　　新版TR200 480G内只用了两颗BGA封装的闪存颗粒，每个颗粒内含 4 个512Gb容量的东芝BiCS3 闪存晶粒，在容量翻倍的同时，使用的闪存颗粒数量也下降到原有的四分之一。这就是高容闪存和叠Die封装的优势。

　　BGA封装的优势之一：体积小容量大

　　作为出现更晚的封装形态，BGA封装有很多先天优势，其中体积小、容量大是最显著的特征。通常在大容量固态硬盘中我们能看到的都是BGA封装的闪存颗粒。

　　BGA封装的优势之二：可支持高频闪存接口

　　BGA封装可以做到比TSOP封装更低的串扰，适合高端NVMe固态硬盘使用。比如东芝XG6 上首度应用的BiCS496 层堆叠3D闪存，就使用了Toggle 3。 0 标准，闪存接口带宽达到800MT/s。当然这个优势在普通SATA固态硬盘上表现的并不明显。

　　BGA封装的优势之三：可支持多个闪存通道

　　每个TSOP封装的闪存颗粒最多可以支持一个闪存通道，而BGA封装可以支持 2 个甚至 4 个闪存通道。对于空间特别紧凑的M。 2 固态硬盘来说，少量闪存颗粒能节省PCB面积，同时还能保障性能不受影响。

　　BGA封装成本相对更高，但是封装尺寸能相应缩小，更适合用在寸土寸金的M。 2 固态硬盘上。结合叠Die封装和TSV(Through Silicon Via)硅通孔技术，东芝能够将1TB容量(512Gb x 16)的3D TLC闪存晶粒封装至一个闪存颗粒当中。

　　由于BGA封装能够做到更高的存储密度，所以被广泛应用在M。 2 接口的固态硬盘中，而SATA接口的固态硬盘空间宽裕，同时受到SATA3。 0 接口的限制，使用TSOP封装形式的闪存同样能够满足需求。不管采用何种封装形态，内含的闪存技术都是一样的，品质上亦没有分别。